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2012年7月18日，中国上海讯 — 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统技术相比，能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容，可应用在具有全套无
