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在我国整体推进4G TD-LTE研发产业化和全球发展的大趋势下，抓住技术和产业升级转型的关键机遇期，加大TD-LTE手机芯片的研发力度，在知识产权、标准开发、研发设计、系统集成、关键仪表、测试验证等方面与国际领先水平大大缩短了差距，接近同步发展水平。
中国移动董事长王建宙表示，中国移动主导的4G技术TD-LTE又喜又急，急的是芯片问题将导致TD-LTE手机迟迟不能推出，喜的是全球TD-LTE已形成国际化之势。
这一产品的问世是继TD-LTE芯片/数据卡/CPE(用户终端设备)/平板电脑亮相2010上海世博会后TD-LTE终端产业发展的又一重要里程碑，充分展示了TD-LTE在智能终端产业方面的最新成就，标志着TD-LTE智能终端产业化迈向成熟，将进一步加速全球TD-LTE的商用化进程。
随着全球蜂窝通信网络运营商逐步采用LTE，满足所有LTE要求的需求也在增长，其中包括衰落特性。第三代合作伙伴计划(3GPP) 在其TS 36.521-1标准中规定了衰落的技术规格，用以测量LTE手机的衰落特性。
本文将介绍一种创新的全数字衰落模拟方法，这种方法可极大减少增加贵重设备所产生的成本，同时提高测量精度并缩短测试时间。
针对业界瞩目的LTE终端，中兴通讯透露，今年会有三到四类LTE终端产品，有模块、有数据卡，有MID，到明年成熟的LTE手机可能将出来。
来自国外媒体的报道，日本电信运营商NTT DoCoMo将在本月举办的移动通信世界大会（MWC）展示LTE手机样机。
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