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Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。
恩智浦半导体NXP SEMICONDUCTORS N.V.(NASDAQ：NXPI)近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。这款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品，在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV，可以显著提升电池寿命和性能。
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6.0V 基纳二极管及开关二极管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的规格供应，比采用DFN1006-2封装的同类产品节省70%的印刷电路板空间，并降低40%的离板高度。
所有发光二极管无论其灯光颜色、尺寸大小或功率有甚不同，只要驱动的电流恒定不变，它们都能充分发挥其性能。
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。这款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品，在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV，可以显著提升电池寿命和性能。
Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管，有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装，以供顾客选择。
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。
飞兆半导体，初级端调节，PWM控制器，简化高亮度，LED设计 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出初级端调节 (PSR) 脉宽调制 (PWM) 控制器 FAN100和 FSEZ1016A，以满足高亮度 (high brightness， HB) 发光二极管 (LED) 市场的关键性需求。这两款产品能够简化设计、减小线路板空间，并提供优异的重要性能。FSEZ101
