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英飞凌的芯片封装拓扑结构非常适用于太阳能光伏的高效率IGBT解决方案，在芯片级有1200V IGBT(T4、E4和P4)、新的650V IGBT3和IGBT4(E3和E4)，具有低Vce(sat)和改善的开关特性。
安森美半导体新的高集成度过压保护IC减少便携设备电路板占用空间多达40% 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出NUS6189新器件，将过压保护(OVP)电路的性能和功能、30 V P沟道功率MOSFET、低饱和电压(VCE(sat))晶体管和低导通阻抗(Rds(on))功率MOSFET集成到节省空间的一个3.0 mm x 4.0 mm x 0
安森美半导体扩展业界领先的高能效、低 Vce(sat) 双极结晶体管产品系列，包括新的封装选择
