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ZnO压敏变阻器具有良好的非线性伏安特性，可用来抑制瞬态过电压和吸收浪涌电压，被广泛应用于电子线路和电力系统。然而，传统ZnO-Bi2O3，ZnO-V2O5，ZnO-Pr6O11系压敏变阻器存在元素易挥发、与Ag-Pd电极反应、非线性系数低、有毒等不利因素，因此研发新型高性能ZnO压敏变阻器显得十分必要。
在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
ZnO-Bi2O3基压敏电阻器具有优异的压敏性能，是目前研究最多的压敏电阻体系，广泛应用在电路的过压保护和浪涌电流吸收方面。
