LED表面粗化技术相关国内专利浅析
摘要: 人们从调整LED芯片结构和封装形式等多个角度发展出了诸如图形衬底、光子晶体、表面粗化、倒装芯片、梯形芯片和二次光学设计等多种光萃取技术,以提高LED芯片的外量子效率。由于这个技术领域的重要性,这也恰是LED相关专利密集分布的区域之一。
发光二极管(LED)必将逐步取代白炽灯、荧光灯而成为新一代照明光源,这已是业界的普遍共识。在LED照明产业界,如何继续提高光效始终是相关研发的重要课题之一。而提高LED芯片的发光效率是提升LED照明系统光效的重点。人们从调整LED芯片结构和封装形式等多个角度发展出了诸如图形衬底、光子晶体、表面粗化、倒装芯片、梯形芯片和二次光学设计等多种光萃取技术,以提高LED芯片的外量子效率。由于这个技术领域的重要性,这也恰是LED相关专利密集分布的区域之一。
在前述的光萃取技术中,表面粗化技术早在上世纪六十年代即已经被提出,发展至今已经比较成熟,且目前已经被国内LED厂商广泛采用,但这也可能伴随诸多的知识产权问题。为此,笔者仅对分布于中国大陆地区的、与LED芯片表面粗化技术相关专利进行了初步的检索和分析,藉以抛砖引玉,俾使国内LED产业界能更有效地防范当前的专利风险。
截至2012年4月,在中国国家知识产权局公布的专利数据库中,共检索到230项与LED表面粗化技术相关的专利申请。其中包括202项发明专利申请及28项实用新型专利申请(参见图1)。由此推理,与该技术主题相关专利申请的质量是比较高的。
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