错误管理成快闪记忆体关键
2011-01-04 09:23:26
来源：网络
随着无线、消费性、运算和企业应用制造商开始使用 NAND 快闪记忆体作为主要储存方桉，从平板电脑到应用快闪记忆体的笔记型电脑，高阶智能手机，资料中心伺服器等，各种应用模式都大异其趣，也需要不同类型的 NAND 快闪记忆体。在竞争计列的记忆体产业裡，厂商多半习惯缩小产品尺寸来降低成本，然而现在可能碰到了一些问题。
美光 NAND 解决方桉事业群副总裁 Glen Hawk 表示，NAND 制程微缩的速度促成产业前所未见的大幅成长与成功，有助于发展新的快闪记忆体解决方桉。但是， NAND 制程微缩的优势虽显而可见，然而传统NAND已经面临制程微缩问题，技术管理难度的提高也带来了挑战。
目前业界所碰到的两大问题，首先是Flash可读写的次数会逐渐减少，以及错误管理技术门槛不断拉高，其中又以后者为急剧增加。推论其中原因，是源于随着产业逐渐超越了 20nm 的规格，快闪记忆体管理也日趋困难，由于位元错误 (bit error) 情况大幅增加，影响 NAND 快闪记忆体的运作效能和可靠性。市场研究机构 Forward Insights 的创办人及首席分析师 Greg Wong就指出，产业不断透过缩小产品尺寸来降低成本，如何能够维持系统的效能和耐受度是个考验。
美光新款的快闪记忆体装置採用传统的 NAND 晶粒介面，制程则为25nmMLC，将错误管理技术整合在同一个NAND封装内，持续提供客户最大容量和最低单位位元成本 (cost-per-bit) 的快闪记忆体解决方桉。可透过最少程度的协议调整 (protocol changes) 来解决主处理器上错误修正码 (ECC) 产生的负担。也就是说，不需要动用到CPU的的资源，就可延长未来NAND FLASH的产品寿命。
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