奥地利微电子推出带有高性能EEPROM的8位数字电位器，提供全球领先的数据保持时间和写入次数
2007-08-16 11:05:10
来源：半导体器件应用网
采用独特的Hi-EPR EEPROM，AS1506可提供卓越的直流性能，以及150年数据保持时间和10M写入次数等世界领先性能
全球领先的通信、工业、医疗及汽车应用集成电路设计者和制造商奥地利微电子公司今天推出256抽头、SPI接口、非易失数字电位器AS1506，可提供10、50和100kΩ电阻，进一步扩展了数字电位器产品系列。
AS1506的最大待机电流为500nA，包括CMOS写操作电流在内的最大工作电流只有200µA，因此是低功耗应用的理想选择。AS1506采用2.7至 5.5V单电源工作，端到端电阻的温度系数为90ppm/°C。AS1506具有±0.5LSB（最大值）的积分非线性（INL）和±0.5LSB（最大值）的微分非线性（DNL）。
AS1506数字电位器将滑动端信息存储在具有高耐用性、高性能和超长保持时间（Hi-EPR）的集成EEPROM内，可提供全球领先的超多写入次数和超长数据保持时间。25°C条件下，奥地利微电子公司的Hi-EPR EEPROM允许进行1000万次写入操作，在85°C条件下仍可进行惊人的100万次写入操作，是传统高等级EEPROM的50倍。此外，AS1506在85°C时可实现难以置信的150年数据保持时间，比标准的高等级EEPROM的信息存储时间长15倍。
奥地利微电子公司的标准线性事业部市场总监Walter Moshammer表示：“与模拟电位器及同类的非易失性数字电位器相比，AS1506具有多项优势。除了具备抗震动和冲击、分辨率更高、小尺寸以及更高性能等数字电位器的显见优势外，AS1506还提供了一种出色的EEPROM，即使在最恶劣的环境中，存储信息也可以保持数十年之久，而且能经受数百万次的写入操作。”
AS1506采用8引脚、小尺寸、TDFN（3x3mm）封装。
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