NEC开始提供55纳米制程CB-55L开发平台
2007-02-27 09:36:41
来源：半导体器件应用网
NEC电子已开始针对利用UX7LS 55nm制程技术，为开发基于单元(cell-based)的IC提供CB-55L平台。NEC在量产过程中导入了高k值薄膜。NEC希望将基于单元的IC销量从目前750亿日元(约6.25亿美元)增加到2010年的1，200亿日元(10亿美元)，这一销量的增加是以与CB-55L平台相关的销售为基础。
CB-55L以NEC电子的UX7LS CMOS制程技术为基础，该公司表示，该制程是首个利用高k电介质的55nm制程。这种高k电介质制程的导入会减少1/4的泄漏电流，并且会使整体功耗比2002年推出的前一代90nm要提低40%。
CB-55的功耗是1.7奈米-瓦/赫兹/闸(nano-watt/MHz/gate)。55nm制程技术的采用使之有可能把闸密度增加230%，因而能实现92.5万个闸/每平方毫米。能被整合在芯片中的闸的最大数量是1亿个，并且I/O的最大数量是2，800。内部的电源供应电压是1~1.2V并且I/O为1.8V、2.5V和3.3V。最大系统频率为450MHz，电源电压为1.2V；在1.0V电源时，系统频率为233MHz。
NEC将放弃高速类型的产品，并打算覆盖具有CB-55L制程的中等及低功耗类型的产品。NEC将提供的IP区块，包括USB2.0、JPEG、DDR/DDR2，目标应用是数字相机、可携式相机和其它依靠电池启动的应用。它也将提供包括PLL、A/D转换器和D/A转换器在内的商用IP。
当NEC电子在2005年11月宣布推出它的UX7LS时，该公司称，浸没式光刻技术将会用于关键的制程。但Iguchi表示，CB-55L仍适用于干式制程技术。
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