台积电55纳米工艺提前进入量产
2007-03-30 09:38:17
来源：半导体器件应用网
晶圆代工大厂台积电27日正式宣布，55纳米半世代工艺提前约一个季度进入量产，从2007年5月起，每隔2个月开启55纳米工艺CyberShuttle服务，提供多家客户量产服务。
台积电表示，此一制程由65纳米制程直接微缩90％，包括I/O及逻辑电路等，为客户提供成本显著降低的竞争优势，同时在相同运作速度下能够节省耗电量达10％至20％。客户仅需微调现有的65纳米工艺技术元件资料库，便可在极低风险的情况下导入此工艺。 目前提供泛用型GP (General Purpose)及消费性产品的GC (Consumer)55纳米逻辑工艺，GP工艺已于本季度开始量产，GC工艺预计于2007稍后开始量产。
台积电的半世代制程技术多年来一直相当成功，台积电首次推出的半世代制程技术是由0.35微米制程微缩而来。现在学内部量产的55纳米工艺已是台积公司第六个半世代工艺技术，2006年台积电技术论坛中便曾公开表示，为拉开与竞争对手间的差距，将会持续投资开发先进工艺，根据台积电技术蓝图，约2007年第二季度推出55纳米工艺，并在2007年第三季度进入45纳米工艺试产，而台积电在第一季度就宣布量产，正符合当时台积电研发副总孙元成所说，55纳米工艺进展顺利很有机会提前.
台积电企业发展副总经理陈俊圣表示，在快速变化的市场上，台积电所提供的“半世代”制程技术供，包括最新的55纳米制程，为客户提供了一个最快速、最简便，拥有成本竞争优势的方法。现阶段NVIDIA及AMD、ATI已开始以55纳米试产，明年首季晶片组产品将率先导入量产。
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