台积电开始量产90nm工艺DRAM混载显存 用于微软的Xbox 360
2007-08-20 10:00:39
来源：半导体器件应用网
台湾台积电（TSMC）宣布，用于微软家用游戏机“Xbox 360”的显存子系统已投入量产，该显存子系统采用TSMC的90nm DRAM混载工艺制造。TSMC的90nm DRAM混载工艺的特点是可混载80Mbit的高密度内存宏（Memory Macro）并进行500MHz的高速运行。
TSMC已从2006年第一季度开始量产90nm工艺DRAM。该公司的设计部门曾为客户的多款90nm工艺产品开发过多种内存宏。
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