半导体产业的技术推进器是NAND闪存，还是逻辑器件？——英特尔与三星激烈碰撞
2007-01-22 09:29:37
来源：半导体器件应用网
半导体制造技术国际学会“IEDM（International Electron Devices Meeting） 2006”于2006年12月在美国的旧金山召开，笔者对期间举行的讨论会进行了采访。讨论会的主题是“半导体产业的技术推进器是NAND闪存，还是逻辑器件”。
在此次讨论会上，“逻辑器件”的代表方——美国英特尔和“NAND闪存”的代表方——韩国三星电子展开了激烈的辩论。来自三星的嘉宾Kinam Kim充满自信地表示，“今后，NAND闪存的微细化将越来越困难。但是，只要市场需要，NAND闪存将‘永远’作为技术推进器不断地革新技术”。对此，英特尔的嘉宾Mark Bohr则反击说，“与NAND闪存相比，逻辑器件需要解决的技术领域更为广泛。例如，晶体管、布线、片上内存以及多引脚封装等。因此，需要总体解决上述技术性课题的逻辑器件对整个半导体产业的影响比NAND闪存更大”。
虽然NAND闪存和逻辑器件为不同产品，但三星和英特尔都深信半导体技术将进一步发展。最近，这两家公司开始致力于“‘微细化’＋α”的技术开发。不只是依赖细微化技术，还组合采用了将其它完善技术，以谋求技术的革新。此类完善技术的开发不是现在才开始的，例如此前已经在逻辑器件方面引进了应变硅等技术。
与逻辑器件和内存等LSI的种类无关，而是作为整个半导体产业的动向，目前最引人注目的当属对沿三维方向层叠电路的三维LSI技术的投入。最近半年，三星和英特尔相继公布了三维LSI技术的开发成果。例如，三星在IEDM 2006上发布了在单片硅晶圆上纵向层叠2个NAND闪存单元的技术。该技术的目标是在不缩小最小加工尺寸的条件下，将每枚芯片的存储容量增加1倍。英特尔也于2006年9月公布了沿三维方向连接微处理器（配备了80个CPU内核）和大容量SRAM的技术。目标是通过缩短连接处理器和SRAM的布线延迟时间来提高LSI的性能。
笔者认为，对半导体产业来说，三维LSI等从“横向”到“纵向”的技术革新，在今后将变得更加重要。
在此次讨论会上，“逻辑器件”的代表方——美国英特尔和“NAND闪存”的代表方——韩国三星电子展开了激烈的辩论。来自三星的嘉宾Kinam Kim充满自信地表示，“今后，NAND闪存的微细化将越来越困难。但是，只要市场需要，NAND闪存将‘永远’作为技术推进器不断地革新技术”。对此，英特尔的嘉宾Mark Bohr则反击说，“与NAND闪存相比，逻辑器件需要解决的技术领域更为广泛。例如，晶体管、布线、片上内存以及多引脚封装等。因此，需要总体解决上述技术性课题的逻辑器件对整个半导体产业的影响比NAND闪存更大”。
虽然NAND闪存和逻辑器件为不同产品，但三星和英特尔都深信半导体技术将进一步发展。最近，这两家公司开始致力于“‘微细化’＋α”的技术开发。不只是依赖细微化技术，还组合采用了将其它完善技术，以谋求技术的革新。此类完善技术的开发不是现在才开始的，例如此前已经在逻辑器件方面引进了应变硅等技术。
与逻辑器件和内存等LSI的种类无关，而是作为整个半导体产业的动向，目前最引人注目的当属对沿三维方向层叠电路的三维LSI技术的投入。最近半年，三星和英特尔相继公布了三维LSI技术的开发成果。例如，三星在IEDM 2006上发布了在单片硅晶圆上纵向层叠2个NAND闪存单元的技术。该技术的目标是在不缩小最小加工尺寸的条件下，将每枚芯片的存储容量增加1倍。英特尔也于2006年9月公布了沿三维方向连接微处理器（配备了80个CPU内核）和大容量SRAM的技术。目标是通过缩短连接处理器和SRAM的布线延迟时间来提高LSI的性能。
笔者认为，对半导体产业来说，三维LSI等从“横向”到“纵向”的技术革新，在今后将变得更加重要。
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