闪存价格竞争激烈，东芝新厂将延后动工
2007-01-30 16:13:50
来源：半导体器件应用网
据日本产经新闻报道，闪存市场竞争激烈，导致价格下滑，电子大厂东芝公司（Toshiba）预定今年底动工的闪存晶片制造新厂，可能延迟至2008年或更晚。
东芝目前在日本三重县拥有三座NAND闪存制造工厂，预计今年7月完工的第四座也位于同一地点。另外，东芝也在寻找第五座厂房位置，不过目前闪存价格下跌，东芝正考虑新厂延迟到最快到明年才动工。
闪存广泛使用于音乐手机、照相机或AppleiPod 等电子产品中，市场需求量庞大。不过去年东芝和南韩大厂三星电子，为扩大市场占有率可竞相加码投资，导致快闪存价格大幅滑落70%。东芝总计去年在NAND闪存产品上投资超过2，500亿日圆。
东芝表示，建造一座晶片厂成本高达数千亿日币，但目前闪存价格低落，不符合投资成本，因此近期将决定第五座厂何时动工。
过去东芝主要生产消费性电子产品，但近来营运重心逐渐移转到获利率较高的半导体和核能发电产业，获利成绩一直不错，预料1月31日的年度第三季财报也将保持高获利。
分析师预期，东芝到去年12月止的年度第三季财报，净利将比前年的219亿日圆（1.81亿美元）大幅成长50%，使年度获利出现10几年来最好的成绩。不过有分析师担心东芝部分营业利益不如，大和研究所分析师佐藤雅治说：“这一季主要令人担心的是东芝的数位产品和半导体部门。”东芝上半年年度财报中，半导体部门占东芝营业利益高达85%，但近期闪存价格大跌，可能严重侵蚀东芝获利能力。
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