东芝和SanDisk携手56纳米NAND闪存制造，挑战密度极限
2007-02-02 09:06:08
来源：半导体器件应用网
SanDisk公司日前宣布开始与东芝合作，在位于日本名古屋附近四日市的300mm晶圆厂“Fab3”生产56纳米多层单元闪存。SanDisk和东芝原本是想推出52纳米NAND产品的，但由于该技术的复杂性，最后转向了56纳米技术。
SanDisk将于今年春季开始供应基于56纳米制程技术的市面上密度最高的单芯片MLC NAND闪存。另外它还会销售基于这一技术的闪存卡。
在测试通过了几款样品后，SanDisk将于接下来的几周时间里推出采用56纳米制程技术的新型8G单芯片MLC NAND闪存，而正式供货则将从本季度晚期开始。
在今年第二季度，SanDisk则将推出单片16G NAND，据称是业界密度最大的单芯片MLC NAND闪存。
这款新的56纳米闪存最初也将在Fab 3开始生产——这是SanDisk和东芝在2005年建立的第一个300mm晶圆厂，SanDisk和东芝将平分其生产的产品。
此外到今年年底，SanDisk和东芝与Flash Alliance公司合建的另一家300mm晶圆厂“Fab 4”也将开始生产56纳米闪存。
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