IMB发布嵌入式DRAM技术 提升内存容量
2007-02-15 16:03:35
来源：半导体器件应用网
本周三，蓝色巨人IBM发布了一项全新的内存芯片技术，据悉该技术有可能极大程度提高内存芯片的性能。
据ZDNET报道，IBM表示明年将开始45纳米芯片的生产，而届时嵌入式DRAM将取代SRAM，这也意味着内存的容量将得以显著提升。
据悉公司将在ISSCC会议上，正式发布有关嵌入式DRAM内存技术的研究成果。
据IBM公司发言人透露，如今内存直接将缓存整合到芯片中，位置靠近处理单元，这样使得芯片可以方便的调用靠近CPU的数据。和传统的系统内存调用方式比较，缓存调用无疑要迅捷许多。
多年以来，内存芯片制造商一直在沿用SRAM技术，只不过芯片的尺寸变得更小而已，然而考虑到技术问题，SRAM已经步入发展缓慢的时期。据悉温度过高导致的电子迁移依然是桎梏SRAM技术的主要问题，因此嵌入式DRAM内存技术就成为了最佳解决方案，后者要求更少的晶体管，从而引起的电子迁移问题更少。
当然嵌入式DRAM技术仍然存在许多问题，例如至今为止尚未有任何机构试验成功，如何在硅绝缘技术上应用嵌式DRAM。据悉，IBM的Power5系列处理器中就使用了硅绝缘SOI技术，而在蓝色基因等超级处理器中，IBM已经对嵌入式DRAM进行了测试。然而目前公司并未对SOI和嵌入式DRAM两项技术进行融合。
据悉，未来生产的IBM45纳米处理器，将成为有史以来首款利用嵌入式DRAM技术的产品，预计将会在2008年发布。蓝色巨人表示该产品将整合24到48兆缓存，要知道最新的Power6系列芯片也不过8兆缓存，后者预计将会在今年内推出。
目前IBM已经与AMD建立了联盟关系，共享旗下技术资源，不过目前AMD公司拒绝对外界透露，自己是否会最终使用IBM提出的嵌入式DRAM技术。另一方面，AMD也在研究自己的内存芯片技术，代号ZRAM。
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