为了实现产品多样化，台湾晶圆厂联华电子（UMC，简称联电）有意利用自己的65纳米和45纳米技术进军CPU和NAND闪存产品的生产领域。联电称他们正在洽谈一宗CPU生产协议，但对于出击大容量闪存市场的问题则显得出言谨慎。

    联电首席执行官胡国强称联电“难以忽视”发展迅速的闪存市场，因此计划在NAND、NOR和SRAM领域追逐订单，但不会涉足DRAM（内存）市场。胡国强不愿透露具体细节，但暗示联电不会在目前激烈混战的闪存产品市场涉足过深。

    “NAND和NOR的价格起伏太大了，所以我们对此不得不深思熟虑，”胡国强在接受采访时说。“很明显，高端、高密度领域很具挑战性，需要的投资很大而技术变化速度也更快一点。”

    胡国强承认NOR闪存产品市场的机会有限，这可能导致他们会扩大在嵌入式NOR闪存市场的业务，即类似于他们和Cypress Semiconductor在今年三月时达成的协议。Cypress计划将自己0.13微米S8嵌入闪存技术和下两代嵌入式闪存技术都转让给联电。此外，联电还将为Cypress生产更先进的SRAM，成为业界首个用65纳米处理技术生产的同类产品。

    在CPU领域，看起来联电采取了一种较聪明的做法，避免了参与正处于流血价格战的CPU市场所必需的重大资源投资。“坦白说，如果将目标定在台式机用的高端绝缘硅技术，这个目标对我们来说比较难以达成，”胡国强说。“所以我们会使用标准CMOS(bulk-CMOS)技术，生产性能较低的处理器。”

    联电目前正开发一种65纳米的绝缘硅工艺，预计今年内推出。“我们相信顺着这条路走下去的将是32纳米，届时绝缘硅的重要性将越来越大，所以从技术开发的角度来看，我们需要有这种知识和经验，”他说。

    联电还计划今年下半年为几个客户试产45纳米技术，而尝鲜使用这种先进技术的有FPGA生产商和图形芯片设计商。另外，手机芯片设计者为了降低成本，也会迅速采用45纳米技术。“（采用45纳米技术）肯定会有高性能和低能耗这些边际效益，但最主要的原因还是降低成本，”胡国强说。

    和在向130纳米转移时一样，胡国强称45纳米的升级也充满挑战，原因在于采用了新的材料和设备。联电在130纳米技术上遭遇了比主要对手更多的挫折，但在90纳米上他们又恢复了元气。“由于有130纳米的惨痛经验，行业现在谨慎得多了。不过在我看来，45纳米成功的机会比以前要高得多，”他说。

    虽然现在的风气是组团开发新工艺，但联电将继续走独立开发的道路。“技术开发并非团队运动，”胡说。“组团开发有自己的限制，因为每家公司都有自己的优先任务。”

    尽管如此，胡国强称集成器件制造商(IDM)和晶圆厂未来会更紧密合作是不可避免的，原因是新工艺的开发和晶圆厂的建设成本越来越高，但不等于要共同开发，反而是共同开发工艺和产品标准，确保设备能在通用晶圆厂中大量生产。

    胡国强还谈到了晶圆代工厂行业的整合问题，称这种阵痛是必需的。联电目前正密切留意一些表面看起来似乎毫无关系的发展项目，例如三星扩大晶圆代工业务的可能性、印度对芯片制造业表现出来的浓厚兴趣以及中芯国际(SMIC)推出的“芯片厂租用”模式等。“现在出现的一些事情结果如何还有待观察，”他说。“但我真是觉得在成熟工艺上产能过大了，因为在过去几年里，中国大陆等地方一拥而上兴建了多座晶圆厂。但现在他们应该意识到，建厂很容易，找到订单满足产能才是难事。” 

    胡国强称联电希望“台湾政府”能批准他们加强与子公司“和舰科技”的合作，借此提高自己在大陆市场的份额。联电拥有这座座落在苏州的晶圆厂15%的股份，但一直未能完全收入旗下，因为这座工厂使用的0.18微米技术属于“台湾政府”限制出口的技术。虽然联电会再次提出申请，但胡国强对短期内获批并不乐观。不过，一旦联电能与和舰正式合作，他们会考虑收购这家晶圆厂。