三星宣称率先推出60纳米制程DRAM 性能表现提高20%
2007-09-15 10:20:51
来源：半导体器件应用网
三星电子(Samsung)日前宣布，该公司已经开发出业界首款“60纳米级别”2GB容量DDR2 DRAM。与80纳米制程的2Gb容量DDR2相比，“60纳米级别”内存运行速度为每秒800兆位，将DRAM的性能表现提高了20%。
除具备较高运行效率之外，新的2Gb容量DDR2器件可以将现有系统内存解决方案的容量提高一倍。与现在基于1G模块单元的内存相比，2Gb容量DDR2器件也削减了模块单元数目。据悉，2Gb容量DDR2预定从2007年底开始大批量生产。
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