海力士、意法合资企业无锡厂升级 随时可投产NAND Flash
2007-09-27 09:42:10
来源：半导体器件应用网
海力士(Hynix)与意法半导体(STMicroelectronics)中国合资企业总裁Seo Kyo-seok日前接受路透社记者访问时表示，进入2009年以后，以8英寸晶圆投产DRAM已无经济效益可言，目前该公司无锡厂分别有8英寸产线与12英寸产线，公司计划在2009年初以前完全升级到以12英寸产线投产。此外，尽管目前无锡厂完全投产DRAM，但已准备好，可随时投产NAND Flash，惟但需视市场走向而定，并无投产时间表。
报道指出，鉴于中国经济发展迅速、收入水平提高，在PC市场带动需求下，海力士半导体光是2006年在中国的营收就增长了至少15%，超过40亿美元规模。Seo Kyo-seok表示，估计中国存储器市场可望在2010年以前增长67%，达到100亿美元市场规模。
事实上，海力士经营大中华区市场，较三星电子(Samsung Electronics)有过之而无不及，自从2006年3月无锡厂投产以来，产能开出更是迅速。2006年海力士已经成为大中华区市场第一大存储器供应商，出货规模达34.8亿美元，增长幅度达60%，反观三星在大中华区市场营收衰退了2.5%，达34.5亿美元规模。
据悉，海力士在大中华地区市场的主要客户包括联想、TCL以及宏碁。Seo Kyo-seok指出，中国目前的半导体业者仅能供应市场需求的五分之一，因此，这是海外企业吃下竞争存储器市场的良机。市调机构调查显示，2007年第一季度，海力士在国内DRAM市场比重高达59%，2006年同时期市占还只有41%，至于第二、三名则分别是三星与美光(Micron)，市占分别为11.7%与9.6%。
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