三星首款64Gb NAND闪存采用30nm工艺设计
2007-10-26 09:31:32
来源：半导体器件应用网
三星(Samsung)声称，它开发成功了全球第一个64Gb多层单元NAND闪存芯片。该芯片采用30纳米工艺设计。据三星介绍，这标志着存储密度连续第八年每年提高一倍，连续第七年纳米尺度为NAND闪存得到改善，2001年开发的100纳米NAND具有1Gb容量。
该NAND芯片的生产采用了三星开发的自排列双成型技术(SaDPT)。使用SaDPT，使三星能够在30纳米生产过程中利用现有的光刻设备。它计划在2009年实现大规模生产。
三星表示，通过采用传统的光刻设备，它能够大大加快实现量产的速度，同时改善生产的成本效率。三星引用市场调研公司Gartner的研究报告称，64Gb NAND闪存以及更大容量器件的市场规模可能在2009-2011年达到200亿美元。
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