三星开始在美国量产50纳米NAND闪存芯片
2007-11-27 09:31:07
来源：半导体器件应用网
三星电子宣布在美国得克萨斯州的生产厂已经开始大批量生产50纳米NAND闪存芯片。这个生产设施是在2007年6月开始投产的。三星电子在2007年至2008年将向这个生产厂投资35亿美元。
NAND闪存是目前两种闪存芯片之一，用于在优盘、存储卡和MP3播放机中提供更大的容量和更快的速度。
三星电子发言人James Chung称，三星将在位于德克萨斯州奥斯汀的工厂使用先进的50纳米技术用300毫米晶圆制造芯片。
这条新的生产线最初的产量为每月2万16GB NAND闪存芯片。到2008年，产量将提高到6万。
三星电子还宣布投资22亿美元扩大46英寸和52英寸液晶电视生产线。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论