英飞凌许可IBM使用其嵌入式闪存制造工艺
2007-12-24 09:30:49
来源：半导体器件应用网
英飞凌(Infineon Technologies AG)日前表示，已同意向IBM提供使用其嵌入式闪存制造工艺的许可。IBM将在北美使用这种130纳米工艺。英飞凌表示，它将使用IBM的代工服务生产未来基于此工艺的产品。
英飞凌的上述130纳米嵌入式闪存工艺于2006年初开始在英飞凌的工厂中实现量产，用于生产从汽车系统到智能卡等应用的微控制器芯片。
英飞凌汽车、工业与多市场业务部主管Peter Bauer表示：“通过这项合作，英飞凌发挥了其自己的制造IP的价值，获得了新的批量制造伙伴，而且加强了我们与长期伙伴之间的工作关系。”
“通过与英飞凌合作，我们拓宽了自己的半导体产品范围。英飞凌是嵌入式闪存技术领域中的领先厂商。”IBM全球工程解决方案部门的半导体副总裁Steve Longoria表示。“这项许可协议利用了我们现有的技术基础，而且补足了我们的模拟与混合信号专门技术。”
上述工艺的整合与验证工作已开始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圆厂进行，计划在2008年下半年推出初步设计工具。
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