Ramtron将在111展位上展示F-RAM存储器如何推动下一代汽车创新；F-RAM是事件数据记录仪的理想存储设备

    世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation将参加今年在中国上海举行的中国国际汽车电子产品与技术展览会暨国际汽车电子行业高层论坛 (AES)。Ramtron将在会上展示其非易失性F-RAM存储器产品如何推动引擎室和车舱内应用的新一代汽车创新，如信息娱乐、安全及事件数据记录。AES将于2008年5月19-21日在上海国际会展中心举行，而Ramtron的展位编号是111。 

    F-RAM技术适合范围广泛的智能及高电子含量的汽车应用，包括数据密集型导航系统、功能丰富的音频系统，以及高级汽车安全系统的快速数据记录，如事件数据记录仪 (EDR)。Ramtron的 Grade 1 (+125℃) 与 Grade 3 (+85℃) AEC Q100认证计划，以及对零缺陷的不断追求，使其F-RAM获得多个应用领域主要汽车供应商的广泛接纳。 

    Ramtron战略市场拓展经理Duncan Bennett称：“Ramtron的F-RAM符合严格的要求，可用于当今先进汽车的严苛引擎室的温度环境。Ramtron的F-RAM具有快速写入特性、高耐用性和低功耗，是新一代汽车应用的理想选择。” 

    Bennett续称：“我们的汽车F-RAM存储器产品被世界各地的主要汽车供应商所采用，用于智能气囊、稳定性控制、停车协助、动力传送、主动转向、驾驶室仪表及音频娱乐中。AES是一个出色的平台，让Ramtron可藉此展示F-RAM技术如何协助本地的汽车工业，推动其自有汽车设计的创新。” 

    在5月20日下午3时，Bennett 更会在大会的汽车电子专题技术研讨会上， 发表题为“事件数据记录仪：未来的强制性要求”的演讲。EDR与飞机的黑匣子类似，其功能是记录事故的关键数据，如速度、加速度、油门位置、刹车状态、座位安全带状态、安全气囊状态、ABS状态及稳定性控制，以协助确定事故发生的原因。美国政府机构已采用EDR支持其汽车事故调查程序，从而协助汽车制造商及道路工程师设计安全性能更高的汽车和公路。F-RAM写入速度快，具有高耐用性高和低功耗，是EDR的理想存储器。F-RAM的写入速度比EEPROM快1000倍，使用次数比EEPROM多出10亿次，而其功耗只是EEPROM的一小部分。F-RAM以超过EDR使用寿命的时间间隔存储数据，确保撞击事故中电源中断情况下数据的完整性。