意法半导体（ST）推出250A功率MOSFET，封装和制程同步升级，提高电机驱动能效
2008-07-22 09:31:11
来源：半导体器件应用网
全球首款采用引线带楔焊键合与表面贴装技术的功率 MOSFET分立器件，1.5毫欧导通电阻配合大电流输出，瞄准55V目标应用
以降低电动汽车等电动设备的运营成本和环境影响为目标，电源管理应用的领先厂商意法半导体推出一款250A表面贴装的功率MOSFET晶体管，新产品拥有市场上最低的导通电阻，可以把功率转换损耗降至最低，并提高系统性能。
新产品STV250N55F3是市场上首款整合ST PowerSO-10 封装和引线带楔焊键合技术的功率MOSFET，无裸晶片封装的电阻率极低。新产品采用ST的高密度STripFET III 制程，典型导通电阻仅为1.5毫欧。STripFET III更多优点包括：开关损耗低，抗雪崩性能强。除提高散热效率外，九线源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时，封装的额定功率为300W。
新产品的高额定电流让工程师可以设计多个并联的MOSFET，达到节省电路板空间和材料成本的目的。标准驱动阈压还有助于简化驱动电路的设计。STV250N55F3适用于高达55V的电力设备。
高达175℃的工作温度使STV250N55F3适用于强电流电力牵引设备，如叉车、高尔夫球用车和电动托盘装卸车以及割草机、电动轮椅和电动自行车。新产品在晶圆和成品阶段都经过100%的雪崩测试，为可靠性和抗击穿性提供了有力的保障。新产品将很快达到汽车级产品质量标准。
在同一个产品系列，ST还有一款型号为55V STV200N55F3的产品，该产品的额定漏极连续电流为200A，源极连线配置为4线。
STV250N55F3样片即刻上市销售，预计2008年第三季度开始量产。
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