截至 2006 年 12 月，我国有十余家外延芯片厂商已经装备 MOCVD ，投入生产的总计数量为 40 台。按照各厂商的扩展计划， 2007 年预计另有 15 台 MOCVD 陆续安装投入使用，将使国内的 GaN MOCVD 设备增加到 55 台。 

    2006 年国内 LED 芯片市场分布如图 5 所示。 其中 InGaN 芯片市值约占据 43 ％， 四元 InGaAlP 芯片市值约占据整个国内 LED 芯片的 15 ％；其他种类 LED 芯片的市值约占据 42 ％。从国内芯片产值上计算， 2006 年国内 InGaN 芯片产值 4.5 亿元，同期国内 InGaN 芯片需求总产值 25 亿元。国内非 InGaN 芯片（普亮和四元）总产值 6 亿元，同期国内非 InGaN 芯片需求总产值 17 亿元。合计国内芯片市场总需求 42 亿元。  
  
    从国内芯片供需状况来看， 2006 年国内 InGaN 芯片产量约 60 亿颗，而同期国内对 InGaN 芯片需求总量约达 200 亿颗，国内自产 InGaN 芯片约占总需求量 30% ；四元 InGaAlP 芯片国内产量约 60 亿颗，约占同期国内总需求量 200 亿颗的 30 ％；合计其他类型的国产芯片 2006 年产量约达 170 亿颗，国产率达 65.4 ％。综合而言， 2006 年国内芯片自产量合计 290 亿颗，占总需求量 660 亿颗的 43.9 ％，其中 2006 年国产高亮芯片 120 亿颗。 

　　目前，我国具有一定封装规模的企业约 600 家，各种大大小小封装企业已超过 1000 家。从分布地区来看，主要集中在珠江三角洲、长江三角洲、江西、福建、环渤海等地区。目前国内 LED 器件封装能力约 600 亿只 / 年。 2006 年国内高亮度 LED 封装产品的销售额约146 亿元 ，比 2005 年的 100 亿元增长 46% 。（ 2005 年统计国内 LED 产业总产值 133 亿元，其中封装 封装产品的销售额约 100 亿）。 

　　随着国内相关企业生产规模的扩大及新的芯片公司的陆续进入，在国内需求市场的推动下，国内 InGaN 芯片产能已经由 2003 年的 65KK/ 月倍增至 2005 年的 400KK/ 月，国内自产供应率逐年提升。 2006 年国内 InGaN 芯片产能较 2005 年增长 50 ％，已达 600KK/ 月。预计未来几年国内 InGaN 芯片仍将保持 30 ％左右的年复合增长率（参见图 7 ），至 2010 年国内将超过日本成为全球第二大 GaN 芯片生产基地，产能高达 1650KK/ 月。