意法半导体（ST）的IGBT新品大幅提升开关性能，为节能灯镇流器和转换器改进能效，降低尺寸
2008-05-17 10:40:28
来源：半导体器件应用网
超低的关断能耗，改进能效，提高工作频率
功率半导体业的世界领先企业意法半导体推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。
开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低，使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工作，带来降低功耗、提高可靠性、缩小电路板空间等优点。
在芯片的单位面积性能方面，ST的新IGBT技术远远胜于传统的MOSFET晶体管，有助于实现成本更加低廉的解决方案。新产品还有一个优点：封装内含有一个超快速软恢复二极管，保证新产品具有其它功率器件无法实现的高dV/dt抗扰性。新系列超高速IGBT的目标应用包括70W-150W高频镇流器以及开关电源、功率因数控制器和其它的高频功率开关设备。
STGxL6NC60D系列产品共有四款产品，提供丰富的功率封装选择：TO-220、TO-220FP、DPAK和 D2PAK。.
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