Sun与三星半导体公司合作开发高性能闪存芯片
2008-07-18 09:27:51
来源：半导体器件应用网
7月18日消息，据国外媒体报道，三星公司已与Sun微系统公司开展合作，双方将共同开发用于固态闪存盘的单层颗粒（SLC）NAND闪存芯片。
两家公司宣称，与现行标准的SLC闪存芯片相比，新的服务器级SLC NAND闪存的数据写入与擦除速度要比前者快五倍。此外，新设计还将极大地延长高性能数据处理服务器的生命周期。
三星与Sun看好这项新闪存技术被用于不间断工作的关键任务型计算环境。这类关键任务包括视频播放、高流量数据处理、搜索引擎运营和其他高速服务器功能。
三星公司称，以每瓦特数据传输流量计算，服务器级SLC闪存的传输速度要比常规硬盘快100倍。这意味着它将极大地节省电力消耗，在服务器市场，人们对不断增长的散热费用支出感到担心。
三星半导体公司内存营销副总裁Elliott说：“公司一直在与Sun合作开发8GB版服务器SLC闪存，高性能SLC闪存将为IT管理者提供最佳的储存容量和耐用性能，同时电耗也将大大减少。”
IDC公司分析师近日报告说，全球市场对商用固态闪存盘的需求有望在2012年达到224万块。
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