Zetex高性能晶体管有效提升电源功率密度
2007-08-22 09:17:23
来源：半导体器件应用网
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶体管，以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件，占板面积为2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持，有助于改善电路效率和降低工作温度。
Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示：“我们最新的双极晶体管能够支持20V至100V的工作电压，使MOSFET栅极能以更高速度、更具效率地运行，胜过同类CMOS集成电路。它们同时还具有抗锁定功能，从而提升整个系统的可靠性。另外，由于产品采用SOT23FF封装，因此可以安装在最靠近MOSFET的位置，有助于降低线路电感和振铃效应。”
20V的 ZXTN19020CFF和ZXTP19020CFF能保证在7A和5A电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接，它们更能提供极快速的切换，传播时间少于2ns，升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15A，是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。
在用于POL DC-DC模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中，晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60V的ZXTN19060CFF NPN产品为例，它在1A电流和10mA基极驱动下的饱和电压仅为150mV，在2A电流和40mA基极驱动下为 135mV。
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