安森美半导体推出应用于便携电子产品的 超小型SOT-963封装双小信号MOSFET
2008-04-22 09:37:26
来源：半导体器件应用网
NTUD312x器件的安装面积比采用单SOT-723封装的MOSFET小30%，比采用SOT-563封装的MOSFET小60%
全球领先的高能效电源解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出三款新的采用超小型SOT-963封装的MOSFET，它们均针对空间受限的便携电子产品进行了优化。SOT-963的尺寸为1.0 mm×1.0 mm，安装面积比采用单SOT-723封装的MOSFET解决方案小30%，比SOT-563器件的小60%。这些采用SOT-963封装的NTUD312x新器件仅有0.5 mm的低垂直净距，满足新世代超薄手持便携设备的要求。
NTUD312x器件在1.5伏(V)门 – 源电压时具有额定的导通电阻值，从而在低压逻辑电平时启动(enable)操作供电。NTUD3127C是一款20 V、200毫安(mA)/-180 mA互补小信号MOSFET。NTUD3128N是一款20 V、200 mA双N沟道MOSFET。NTUD3129P是一款-20 V、-180 mA双P沟道MOSFET。
这些器件每8，000片的批量预算单价为0.33美元。
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