IR推出为高频和高效DC-DC应用 优化的25V DirectFET芯片组
2008-07-16 09:31:48
来源：半导体器件应用网
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出25V同步降压式转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点 (POL) 转换器设计，以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。
新25V芯片组结合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，在SO-8占位面积及0.7mm纤薄设计中实现了高密度、单控制和单同步MOSFET解决方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特点包括：非常低的导通电阻 (RDS(on))、栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) ，以实现高效率和散热性能，并可实现每相超过25A的工作。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“IRF6710S2控制MOSFET具备极低的栅极电阻 (Rg) 及电荷，而且当与IRF6795M和IRF6797M这些集成了肖特基整流器的同步MOSFET共同设计时，能够实现高频、高效DC-DC转换器解决方案，在整个负载范围发挥卓越性能。”
IRF6710S拥有0.3Ω的极低栅极电阻和3.0 nC的超低米勒电荷 (Qgd) ，可以大幅减低开关损耗，使这些器件非常适合作为控制MOSFET使用。
IRF6795M和IRF6797M拥有极低的RDS(on)，可以显著减少导通损耗，而集成的肖特基整流器可以降低二极管导通损耗和反向恢复损耗，使这些新器件非常适合大电流同步MOSFET电路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面积，能轻易由原有SyncFET器件转向使用新器件。
产品基本规格如下：
|
器件编号 |
BVDSS (V) |
10V下 典型RDS(on) (mOhms) |
4.5V下典型RDS(on) (mOhms) |
VGS |
典型QG (nC) |
典型QGD (nC) |
外形代码 |
|
25 |
4.5 |
9.0 |
+/-20 |
8.8 |
3.0 |
S1 | |
|
25 |
1.1 |
1.8 |
+/-20 |
45 |
15 |
MX | |
|
25 |
1.4 |
2.4 |
+/-20 |
35 |
10 |
MX |
新器件符合电子产品有害物质限制规定 (RoHS)，并已接受批量订单。
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