山东大学3英寸SiC单晶研制成功
2007-05-23 09:31:40
来源：半导体器件应用网
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“SiC单晶衬底制备”课题（课题编号：2006AA03A145）在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，在国内首次成功生长出直径3英寸的SiC单晶。
第三代宽禁带半导体SiC具有独特的物理性质，既是制作高功率GaN基发光二极管的理想衬底，又是制作大功率电子器件的重要材料。在半导体照明工程中具有重要的应用前景。生长大直径SiC单晶可降低成本，提高衬底的表面质量，制备出“开盒即用”的衬底，把SiC衬底推向实用化，对积极推进半导体照明和大功率电子器件意义重大。
山东大学率先在国内建立了完整的宽带隙半导体SiC单晶生长和加工的研究基地。鉴于目前国际上SiC电子器件先进的主流生产线均开始采用3英寸的SiC晶圆片，为进一步与器件研发单位密切配合并同国际接轨，课题组新近采用升华法对3英寸SiC单晶生长工艺进行了初步探索，最终成功地生长出3英寸SiC单晶。同时，完成了大直径SiC单晶的生长、切割、磨抛、清洗和封装的全部工艺设计，具备了小批量生产的能力，基本达到了向产业转化的技术要求。
目前，课题组正在积极推进SiC衬底在半导体照明中的应用，进行蓝光GaN材料体系的LED结构材料的外延生长及管芯制作，在外延片上进行电致发光的试验，已得到蓝光输出。有关LED的详细结果有待于管芯封装以后测量。
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