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基站接收器设计是一项艰巨的任务。典型接收器组件包括混频器、低噪声放大器(LNA)和模数转换器(ADC)等，这些器件随着时间推移而不断改善。
本文从功耗限制下的噪声最优化、阻抗匹配及小信号增益方面出发，详细讨论低噪声放大器的设计方法，并采用0.25μmCMOS工艺设计一种工作在2.4GHz频率下、可应用于蓝牙系统收发器的全集成的低噪声放大器。
本应用给出了针对470MHz至770MHz ISDB-T应用对MAX2640 RF匹配电路的调整。
中国 上海 - 2012年12月11 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出两款封装式低噪声放大器 (LNA) 增益模块-TQP3M9035和TQP3M9038，可在50 MHz至4 GHz极宽带宽范围内提供经济型的高性能。这两款放大器产品具有极高线性度和极低噪声的特点，非常适用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站应用。
麦瑞半导体公司(Micrel Inc.)(纳斯达克股票代码：MCRL)宣布推出带有低功耗休眠模式的100MHz至1000MHz低噪声放大器(LNA)MICRF300。
2012年10月9日，德克萨斯州奥斯汀市 – 飞思卡尔半导体公司 (NYSE:FSL)日前宣布推出在一个器件中满足两个增益级要求的新型两级低噪声放大器(LNA)，提供跨多个频段覆盖范围，以简化无线基站设计。
新日本无线，宽带低噪声，放大器NJG1129MD7 新日本无线(NJR)已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声放大器(下称LNA)GaAs MMIC NJG1129MD7，现开始样品供货。
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克股票代码：TQNT)，开始供应两款表面贴装式封装的低噪声放大器(LNA)TQP3M9036和TQP3M9037的初始样品，为面向基站和类似应用的集成、封装解决方案提供最低的噪声系数。
特瑞仕半导体 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 推出采用CMOS工艺，适用于移动体终端、地面数字广播的LNA、XC2402系列产品。
在一个典型的无线系统中，现场工程师和技术人员经常面临形式各样的系统部件，包括天线、电缆、滤波器、多路复用器、放大器、隔离器、环行器、开关、低噪声放大器等。每个部件的失误，都可能导致整个系统失败。而其他现场工作人员，则将在不同的射频/微波系统上进行工作，涉及范围从广播频段到Ku波段雷达。
