摘要：  中国 上海 - 2012年12月11 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出两款封装式低噪声放大器 (LNA) 增益模块-TQP3M9035和TQP3M9038，可在50 MHz至4 GHz极宽带宽范围内提供经济型的高性能。这两款放大器产品具有极高线性度和极低噪声的特点，非常适用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站应用。

关键字：  TriQuint半导体，  低噪声放大器，  

中国 上海 - 2012年12月11 日 - 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出两款封装式低噪声放大器 (LNA) 增益模块-TQP3M9035和TQP3M9038，可在50 MHz至4 GHz极宽带宽范围内提供经济型的高性能。这两款放大器产品具有极高线性度和极低噪声的特点，非常适用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站应用。

除了在无线基础设施中实现高性能之外，新的TQP3M9035和TQP3M9038还可用于从中继器和塔式安装放大器到通用电路等需要高线性度、宽带低噪声增益模块的各种系统。

新的TQP3M9035具有+37 dBm高三阶交调截取点 (OIP3) 和0.66 dB极低噪声、16.5 dB增益和在1 dB增益压缩(P1dB)射频输出功率为22.5 dB。典型使用包括接收器和发射增益模块放大器、中频增益模块放大器和用于极小口径终端 (VSAT) 的中频放大器、以及点对点微波无线电中的第一、第二或第三低噪声放大器。该器件还具有TDD-LTE系统要求的集成式数字关断偏压能力。TQP3M9038的OIP3为+39.5 dBm、噪声系数为2 dB、14.9 dB的平坦增益响应(500 MHz - 3.5 GHz带宽范围上偏离只有+/-0.3 dB)和+21.6 dBm的P1dB射频输出功率。

TriQuint使用其高性能E-pHEMT工艺为这两种新器件提供内部匹配。即使器件在极宽频率范围内工作，内部匹配可消除对许多典型外置优化电路的需要。只需要一个外置射频扼流圈以及隔离/旁路电容，操作在一个单一的+5 V电源供电 。TQP3M9035和TQP3M9038的功耗分别只有110 mA和85 mA。两款器件均采用内置有源偏压电路，以便在偏压和温度变化时也能稳定运行。TQP3M9035采用2x2 mm DFN封装，TQP3M9038采用3x3 mm QFN 封装;二者都符合RoHS标准的要求。

技术细节：

新TQP3M9035和TQP3M9038目前在产。TQP3M9035可提供完全组装的500 MHz - 4 GHz评估装置。TQP3M9038的装置包括中频版本 (50 - 500 MHz) 和射频版本 (500 MHz - 4 GHz)。