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在目前要求高效率、高功率密度以及降低产品不良率电源产品设计的需求下，结合新式封装与极低导通电阻的功率电晶体，将有助于电源设计工程师开发更具优势亦更符合市场需求的产品。
前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构，并实现了顶尖低导通电阻和高速交换性能。即日开始批量生产。
东芝公司宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构，实现了最高级别的[注1]低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出可在1.5V～5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关--- SiP32458和SiP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20mΩ低导通电阻，同时保持低静态电流的栅极泵。器件采用小尺寸6凸点晶
瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
东芝公司(Toshiba Corporation)推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 1 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出具有超低导通电阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电池组、逆变器、不间断电源 (UPS) 、太阳能逆变器、叉车、电动工具、代步车，以及ORing和热插拔应用等。
