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智能电源和智能感知技术的领先企业安森美最新发布第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
安森美宣布推出采用了新的场截止第7代(FS7)绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术的1200V SPM31智能功率模块(IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比，SPM31 IPM能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。
Teledyne科学与成像公司和力科今天宣布，瑞典查尔姆斯理工大学微波电子实验室的研究人员在D-band无线通信方面已经达到了破纪录的信号传输速率。实验使用查尔姆斯理工大学开发的发送/接收芯片组，Teledyne公司高性能磷化铟(InP)为基础的双异质结双极晶体管技术和力科LabMaster 10Zi数字示波器，达到了......
用于点火线圈充电的开关元件已经历了很大演变：从单个机械开关、分电器中的多个断电器触点，到安装在分电器中或单独电子控制模块中的高压达林顿双极晶体管，再到直接安装在火花塞上点火线圈中的绝缘栅双极性晶体管(IGBT)，最后是直接安装在火花塞上点火线圈中的智能IGBT。
以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如何利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低。
今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管(IGBT)都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。
英商康桥半导体公司CamSemi日前宣布其在双极晶体管(BJT) 驱动方案的最新进展，以及利用该等研发所创造出的新一代初级侧感测(PSS)控制器。CamSemi相信新的C2172 PSS控制器能让制造商开发出产业界成本最低、最具节能效应的BJT解决方案，并适用于手机充电器以及额定量为6.5 W之其它通用输入应用装置。这个新驱动方案还能帮助设计师改善设计品的耐用度。
日前，推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续扩充高性能绝缘门双极晶体管(IGBT)产品阵容，应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC)。安森美半导体新的第二代场截止型(FSII) IGBT器件改善开关特性，降低损耗达30%，因而提供更高能效，并转化为更低的外壳温度，为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标
对于要使用互补双极晶体管的电路设计，有时候需要筛选出与直流增益(β)相匹配的NPN和PNP晶体管。这样一种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。图1中的电路给出了一种简单的测试设备，能够获得这种匹配。
