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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

2024-05-22 16:08:09 来源:Littelfuse 点击:1506

新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序,将开关损耗降至最低,并增强dV/dt抗扰性能

美国伊利诺伊州芝加哥,2024年5月27日讯-- Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

IX4352NE低侧栅极驱动器

IX4352NE驱动器的主要优势在于其独立的9A拉/灌电流输出,支持量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。 内部负电荷调节器还能提供用户可选的负栅极驱动偏置,以实现更高的dV/dt抗扰度和更快的关断速度。 该电流驱动器的工作电压范围(VDD - VSS)高达35V,具有出色的灵活性和性能。

IX4352NE驱动器的突出功能之一是配备内部负电荷泵调节器,无需外部辅助电源设备或DC/DC转换器。 该功能对于关断SiC MOSFET尤其实用,可以节省外部逻辑电平转换器电路通常所需的宝贵空间。 逻辑输入与标准TTL或CMOS逻辑电平兼容,进一步增强了节省空间的能力。

IX4352NE驱动器非常适合在各类工业应用中驱动SiC MOSFET,例如:

· 车载和非车载充电器,

· 功率因数校正(PFC),

· DC/DC转换器,

· 电机控制器,和

· 工业电源逆变器。

卓越的电流驱动器性能使其成为电动汽车、工业、替代能源、智能家居和楼宇自动化市场中要求苛刻的电力电子应用的理想选择。

凭借其全面的功能,IX4352NE驱动器简化了电路设计并提供了更高的集成度。 内置保护功能,如带软关断灌电流驱动器的去饱和检测(DESAT)、欠压锁定(UVLO)和热关断(TSD)等,可确保功率器件和栅极驱动器得到保护。 集成的开漏FAULT输出向微控制器发出故障信号,增强了安全性和可靠性。 此外,IX4352NE驱动器还能节省宝贵的PCB空间并提高电路密度,有助于提高整体系统效率。

对现有IX4351NE驱动器的显著改进包括:

· 由DESAT启动的安全软关断。

· 高阈值精度热关断。

· 电荷泵在热关断期间的工作能力。

新款IX4352NE与引脚兼容,可无缝替换指定使用现有Littelfuse IX4351NE的设计,该设计于2020年发布。

“IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列,简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。”Littelfuse集成电路部(SBU)产品经理June Zhang表示, “其各种内置保护功能和集成电荷泵提供了可调的负栅极驱动电压,能提高dV/dt抗扰度和关断速度。 因此,该栅极驱动器产品可以用来驱动任何SiC MOSFET或功率IGBT,无论是Littelfuse器件还是市场上任何其他类似器件。”

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