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英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40V产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80V和100V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。
【2024年4月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。
英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。
意法半导体的碳化硅MOSFET技术，不但每单位面积的导通电阻非常之低，切换效能绝佳，而且跟传统的硅基续流二极体(FWD)相比，内接二极体关闭时的反向恢复能量仍在可忽略范围内。
在目前要求高效率、高功率密度以及降低产品不良率电源产品设计的需求下，结合新式封装与极低导通电阻的功率电晶体，将有助于电源设计工程师开发更具优势亦更符合市场需求的产品。
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。
Vishay推出适用于便携电子设备、医疗设备和仪器仪表等系统中的新款双向电池开关，器件只占2.3mm2的面积，比分立MOSFET节省91%;在3.3V下的导通电阻低至6.5mΩ，静态电流为0.015nA。
前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构，并实现了顶尖低导通电阻和高速交换性能。即日开始批量生产。
本文介绍了电流模式Buck变换器的电流取样电阻放置的三种位置：输入端，输出端及续流管，详细的说明了这三种位置各自的优点及缺点，同时还阐述了由此而产生的峰值电流模式和谷点电流模式的工作原理以及它们各自的工作特性。文中同时给出了使用高端主开关管导通电阻、低端同步开关管导通电阻以及电感 DCR 作为电流取样电阻时，设计应该注意的问题。
