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射频(RF)元件需求急速增长。先进长程演进计划(LTE-Advanced， LTE-A)商转启动，下一代5G标准亦蓄势待发，驱动行动装置射频系统规格升级。系统厂为支援100MHz超大频宽、四十个以上频段并降低杂讯干扰，除计画增加低杂讯放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射频元件用量外，亦将要求射频前端模组(FAM)提高功能整合度，吸引晶片商加紧展开卡位。
2013年3月6日 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的可调谐射频元件(TRFC)，协助开发最新世代智能手机的工程师解决其设计挑战。这些新器件极优地结合了调谐范围、射频品质因数(Q)及频率工作，提供比现有固定频段天线更优异的解决方案。
终端用户对更小更纤薄手机的需求为设计人员带来减小天线体积又不影响性能的挑战。
美国、北卡罗来纳州、Gr e en s bo r o - 2 01 0 年 4 月 8日 - 日前，设计与制造高性能射频元件及复合半导体技术的全球领先者 RF Micro Devices， Inc. 公司（Nasdaq 股市代号：RFMD）宣布推出 ML2730，这是一款具有整合功率放大器 (PA) 及低噪声放大器 (LNA) 的单片全面整合FSK（Frequency Shift Keyed）的收
日前，设计与制造高性能射频元件及混合半导体技术的全球领先者 RF MicroDevices， Inc.公司宣布，该公司正在与 Ember 公司合作，共同推出面向智能电网应用的 ZigBee® 前端模块 (FEM)，这些模块可使公用事业及消费者更大力度地控制他们的监控方式，并且可节省能源。ZigBee 是一种针对各种应用中的监控的全球无线网络连接标准，这些应用包括能源管理、安保、照明及电器。
作为高性能射频元件和复合半导体技术的设计和制造方面的全球领导者之一的RF Micro Devices公司，即日宣布成功地完成了质检并正式推出其首例高功率RF CMOS 开关，该器件是在领先的晶圆厂采用高电阻率衬底材料制作的。
作为高性能射频元件和复合半导体技术的设计和制造方面的全球领导者之一的RF Micro Devices， Inc.公司，即日宣布推出RF7178 –无线业界首例整合了四-频段、12级-兼容GSM/GPRS的功率放大器、一个pHEMT天线开关及接收 SAW 过滤器的前端模组。
作为全球高性能射频元件和复合半导体技术的设计和制造方面的领导者之一的RF Micro Devices， Inc. 公司，即日宣布启动其RF720x WCDMA/HSPA+ 功率放大器 (PA) 的大规模生产。RFMD的RF720x产品系列由7个高性能功率放大器组成，这些功率放大器是针对智能手机和3G设备需要的特定模式和特定频段前端架构而设计。RF720x产品系列适用于所有主要 WCDMA/HSPA
作为全球高性能射频元件和复合半导体技术的设计和制造方面的领导者之一的RF Micro Devices， Inc. 公司，即日宣布推出 PowerSmart™ 功率平台，这一新的产品分类是为重新规划多模、多频段手机 RF 架构而设计。RFMD 的 PowerSmart™ 平台具有革命性的新型 RF ConfigurablePower Core™，其利用了业界领先的
