作为高性能射频元件和复合半导体技术的设计和制造方面的全球领导者之一的RF Micro Devices公司，即日宣布成功地完成了质检并正式推出其首例高功率RF CMOS 开关，该器件是在领先的晶圆厂采用高电阻率衬底材料制作的。

RFMD® 通过运用这一新工艺技术及其正在申请专利的设计和已开发的电路方面的技术，而成功地推出了针对下一代 3G 和 4G 智能电话、其它无线手机、无线基础设施、无线局域网（WLAN）、有线电视/宽带及航天和国防方面应用的高性能硅开关类产品系列。

RFMD 蜂窝产品部 (CPG) 总裁Eric Creviston 指出，“RFMD 的基于 CMOS 的蜂窝开关产品具有很好的性能、尺寸和成本方面的优点，还有很好的线性性能和绝缘能力，而这些因素对现代的 3G 手机而言至关重要。我们预计 2010 年在领先的 3G 智能电话厂商的推动下很多客户将陆续采用这一器件。”

RFMD 总裁兼首席执行官Bob Bruggeworth 强调，“对RFMD 而言，这些新型基于CMOS 的产品 – 和我们整个开关和信号调节产品组合–体现了RFMD 具有不断增长其价值比重且继续实现产品多样化的机遇。另外，同样重要的是，当我们将CPG部门开发的技术和知识产权（IP）不断转移到多市场产品部门 （MPG）所关注的市场方面时，我们的CMOS 开关产品系列使得我们在投资资本回报(ROIC)方面进一步得到改进。”

RFMD 的CMOS蜂窝开关符合或超过了下一代3G和 4Ｇ智能电话的严格线性和绝缘要求，同时提供了卓越的ESD性能 (HBM 数据在 2000V)。此外，通过在同一电路板上整合控制器和RF开关，RFMD正在申请专利的电路方面的技术和其创新的高电阻率CMOS 技术可在改善产品性能的同时减小产品尺寸。这样，与其它硅工艺技术（包括蓝宝石上生长硅工艺，简称SOS工艺）相比，RFMD的硅开关器件实现了更低成本且更高性能的3G 解决方案。

RFMD的首例高功率CMOS蜂窝开关器件包括RF1603－单极三掷 (SP3T)开关和RF1604－单极四掷(SP4T) 开关。RFMD 已经给顶级客户提供了这两个产品，商业化量产将于今年上半年开始。后续的基于CMOS的产品将着重于适应终端产品复杂度的不断增加，包括RFMD 用于3G智能电话的开关过滤器模组和开关复用器模组方面的日益增长的产品组合。

RFMD 提供移动设备业界最广泛且最创新的射频元件组合，其包括蜂窝功率放大器模组、蜂窝发射模组、蜂窝开关和过滤器模组，及针对 Wi-Fi， WiMAX 及 GPS 应用的前端。