搜索结果：找到 “关键字” 相关内容 29个， 当前显示 10 条，共 3 页
西部数据采用“紫金”战略来抢占市场，在安博会上展示了紫盘（WD Purple™）、金盘（WD Gold™）、闪迪工业级存储卡及嵌入式闪存盘在内的多款产品组合。
飞索(Spansion)预定于2013年7～9月，完成富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、模拟及混合信号部门购并，未来将加速整合该部门技术资源，以及自家的嵌入式电荷撷取(eCT)闪存技术，全力加速嵌入式闪存(eFlash)MCU研发，预计于2015年发布首款产品。
嵌入式闪存已成为MCU市场中最为重要的一种差异化产品，闪存厂商从配角变成主角，将对MCU市场产生影响。
2013年5月2日，德国纽必堡/德累斯顿与新加坡讯——英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验，进行相关技术的开发。GLOBALF
日前，北京 — Altera公司 (NASDAQ: ALTR)与台积公司今日共同宣布在55纳米嵌入式闪存 (EmbFlash) 工艺技术上展开合作，Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生产可程序器件，广泛支持汽车及工业等各类市场的多种低功耗、大批量应用。
Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生产可程序器件，广泛支持汽车及工业等各类市场的多种低功耗、大批量应用。
全球闪存解决方案领导者SanDisk闪迪公司(纳斯达克代码：SNDK)宣布 iNAND Extreme 嵌入式闪存 (Embedded Flash Drive; EFD) 支持内建NVIDIA Tegra 4(全球最快移动处理器1) 的平板电脑参考设计。iNAND Extreme 特别针对内建 Tegra 4 的平板电脑实施最佳化设计，凭借强化的处理性能和优质稳定的数码储存能力提升用户体验。
提供卓越差异化技术的晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)与国内主要的智能卡设计公司之一，北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)共同宣布， 同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗，生产良率稳定，产品性能突出，已大量投放国内市场。
近日，专注智能卡芯片设计的北京同方微电子有限公司(以下简称“同方微电子”)与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力半导体”)共同宣布，同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗，且生产良率稳定，产品性能突出，已大量投放国内市场。
