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Power Integrations公司推出了新的Qspeed 150V二极管产品系列，LQA150具备实现低EMI的出色软度，以及最低的结电容（CJ）和最低的反向恢复电荷（QRR），分别比肖特基二极管低60%和40%。测试表明，这些器件是市场上速度最快且开关损耗最低的开关硅二极管。
本文提出了一种绿色模式降压型功率集成开关电源控制器设计方案。该方案采用了Burst/ PWM 多模式调制技术，控制变换器在重载下以恒定频率工作在PWM 模式，而当负载降低到一定程度时，自动切换到Burst 模式并以降低的恒定频率工作。 其主要优点是减少了开关损耗， 又不增加片外滤波器的设计复杂度。
在汽车中，水泵、油泵和助力转向泵这些负载仍由发动机直接驱动，采用电机驱动这些负载，可大大简化机械设计，无需采用皮带和转轮，同时节省发动机舱内空间。AUIR3330S 提供了一个可以全速范围驱动任何类型电机的解决方案，其主动di/dt 控制实现了EMI及开关损耗性能的优化。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 6 月6 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器，其中包括业界首款采用SMA封装的3A器件，采用SMB封装的3A和4A器件，以及采用SMC封装的4A和5A器件。新款整流器将极快恢复和软恢复特性，以及低正向
近日，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布11款新型Gen2 650V FRED Pt®超快二极管。
IC高压转换设计面临很多工程方面的挑战，例如，系统设计人员需要确保开关损耗和Vin的平方成比例;提供非常短的可控ON时间;在不增加被动器件外形尺寸的同时，实现最大效率的供电，提供更低的开关频率以减少BW等等。
半桥DC/DC变换器结构简单，控制方便，非常适用于中小功率场合。硬开关变换器高频时开关损耗很大，严重影响其效率。软开关技术可降低开关损耗和线路的EMI，提高效率和功率密度，提高开关频率从而减小变换器体积和重量。传统半桥变换器有两种控制方法，一种是对称控制，一种是不对称互补控制。本文主要分析实现半桥DC/DC变换器软开关的PWM控制策略。
IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF利用IR的薄晶圆场站的Trench技术，显着地降低了开关损耗和传导损耗，提供更高的功率密度和更高的效率，更高的频率。共同封装二极管和DPAK和D2PAK封装，新的IGBT额定电流为6A和最小的短路额定值≥5μs的特征。
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器，其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。
本文分析了太阳能逆变器应用的全桥拓扑。这种拓扑利用正弦脉宽调制技术，在高于20kHz情况下，为高压侧IGBT 进行转换。支线的低压侧IGBT决于输出频率要求，在50Hz或60Hz进行转换。若挑选最新的600V槽栅IGBT，其总功耗将会在20kHz下达到最低。在低压侧IGBT方面，标准速度平面式IGBT是最佳选择。标准速度IGBT在50Hz或60Hz下拥有最低的导通损耗，其开关损耗对整体功耗来说微不
