摘要：  日前，德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器，其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。

关键字：  低侧栅极驱动器，  电源开关，  CMOS

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器，其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。

该 UCC27511 与 UCC27517 驱动器是 TI 最新 UCC2751x 系列的新成员，可有效取代使用双极型晶体管的分立式栅极驱动电路，显著提高离线隔离式电源、电信模块、空调系统、UPS 以及便携式电动工具等应用的效率、可靠性以及电源密度。样片与 PSpice 瞬态模型，敬请访问：www.ti.com.cn/product/cn/ucc27511。

UCC27511 与 UCC27517 的重要技术特性：

·高电流驱动性能提高可靠性：UCC27511 支持高达 4 A 源极/8 A 汲极的驱动电流性能，而 UCC27517 则支持 4 A 源极/汲极峰值电流脉冲;

·最快的开关速度：这两款驱动器都支持 13 纳秒 (ns) 快速典型传播延迟以及 9 ns/7 ns 升降时间，可实现极低的脉冲失真;

·最小的开关损耗：0.375 欧姆(UCC27517 为 0.5 欧姆)下拉电阻不但可在电源开关转换通过 Miller Plateau 时最大限度减少开关损耗，而且还可在 Miller 接通时提高抗扰度;

·高度的设计灵活性：支持 4.5 V 至 18 V 宽泛工作电压，并可在 -40C 至 140C 温度下确保电气参数。独立于 VDD 的最大输入电压可简化偏置电源架构。

供货情况

采用 6 引脚 SOT-23 封装的 UCC27511 与采用 5 引脚 SOT-23 封装的 UCC27517 都已开始供货。TI 计划将于今年第 2 季度推出采用 3 毫米 x 3 毫米、6 引脚 WSON 封装并具有不同 CMOS 输入阈值的其它单通道栅极驱动器。

查阅有关 TI MOSFET 栅极驱动器及电源控制器产品系列的更多详情：

·最新 UCC27xxx 驱动器可对 UCC28250、UCC28950、LM5045、LM5046 以及 LM5035 等 TI 领先 PWM 控制器形成有力互补;

·查看其它 GaN FET 驱动器产品：100 V LM5113 与 LM5114;

·下载最新 Power Stage Designer 开关模式电源拓扑工具;

·通过 TI在线技术支持社区咨询问题，并帮助解决技术难题：www.deyisupport.com。