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高性能模拟、混合信号、处理知识产权(IP)以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin Design，成功流片了首款包含最先进音频IP的12纳米FinFet测试芯片，达到一个重要里程碑。
美国国际商用机器公司(IBM)日前宣布研制出首个制程(即晶体管尺寸)为7纳米的测试芯片，突破了半导体行业的重要瓶颈。这一技术将使未来各种设备所使用的芯片性能更高、能耗更低、尺寸更小。
【中国，2013年7月9日】——全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ:CDNS) 今天宣布，设计服务公司创意电子(GUC)使用Cadence® Encounter®数字实现系统(EDI)和Cadence光刻物理分析器成功完成20纳米系统级芯片(SoC)测试芯片流片。双方工程师通过紧密合作，运用Cadence解决方案克服实施和可制造性设计(DFM)验证挑战
在Synopsys 的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm 制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了一步，当然流片完成之后还需要对过程工艺等等项目进行完善和改进，还有大量工作要做。
弹性客制化IC领导厂商(Flexible ASIC LeaderTM)创意电子(Global Unichip Corp.，GUC)已经完成28nm系统芯片的测试芯片验证，该测试芯片将CPU与GPU整合在单一技术平台上。
ARM与Cadence设计系统公司日前宣布流片首款14纳米测试性片，应用高性能ARM Cortex-A7处理器，这是ARM所推出的能耗效率最高的应用处理器。该芯片使用完整的Cadence RTL-to-signoff流程进行设计，是首个面向三星14纳米FinFET工艺的芯片，能加快向高密度、高性能与超低功耗SoC的不断迈进，满足未来智能手机、平板电脑和其他高级移动设备的需要。
中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际"，纽约证交所代码：SMI，香港联交所代码：981)，中国规模最大、技术最先进的集成电路代工厂，今天宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。
TSMC今(12)日宣布推出整合JEDEC 固态技术协会(JEDEC Solid State Technology Association)Wide I/O行动动态随机存取内存接口(Wide I/O Mobile DRAM Interface)的CoWoSTM测试芯片产品设计定案，此项里程碑印证产业迈向系统整合的发展趋势，达到更高带宽与更高效能的优势并且实现卓越的节能效益。
日前，灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。
中国上海和英国剑桥——国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”，纽约证券交易所：SMI，香港联合交易所：0981.HK)及ARM今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。
