中芯国际与灿芯半导体40纳米低漏电工艺ARM Cortex-A9双核测试芯片成功流片
摘要： 日前，灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex-A9 MPCore双核测试芯片首次成功流片。
日前，灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布，采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex-A9 MPCore双核测试芯片首次成功流片。
该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计，采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集32K I-Cache和32K D-Cache，128 TLB entries，NEON 技术，以及包括调试和追踪技术的CoreSight 设计套件。除高速标准单元库，该测试芯片还采用高速定制存储器和单元库以提高性能。设计规则检测之签核流程(sign-off)结果已达到900MHz(WC)，预计2012年第二季度流片结束后，实测结果将达到1.0GHz。
灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士指出：“ARM Cortex-A9双核测试芯片采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺，大幅缩短了整个芯片设计时间，并且降低了开发成本与流片风险，这一系列工艺技术和设计上的优化措施将推动高性能的Cortex-A9处理器快速面市。我们很高兴在处理器内核及其优化实现上与ARM及中芯国际建立紧密的合作伙伴关系，该测试芯片的顺利流片再次证明了三家公司合作的成功。有了ARM和中芯国际的支持，我们必将为需要高性能ARM内核的客户带来巨大价值。”
中芯国际首席商务长季克非表示：“通过与ARM和灿芯的密切合作，中芯国际能够为客户提供一个快速实现从设计到生产的完整平台。我们十分重视与灿芯、ARM的合作伙伴关系。也正因为他们的努力，我们才能达成此40纳米技术的重要里程碑，这对我们‘为客户提供最先进的制程技术’的共同承诺是最有力的证明。中芯国际40纳米技术结合ARM Cortex-A9处理器和灿芯的设计流程，将有助于满足高性能和低功耗消费电子产品日益增长的需求。”
ARM中国区总裁吴雄昂说：“在中国，ARM坚持致力于与合作伙伴共同努力，创造一个推动创新与成长的生态系统。这个与灿芯半导体、中芯国际共同创造的重要里程碑，证明了通过我们的合作，可以承诺并最终实现以高性能、低功耗的产品，来更快地满足市场不同领域的需求。”
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