搜索结果：找到 “关键字” 相关内容 83个， 当前显示 10 条，共 9 页
全球第三代半导体产业发展迅速，成为半导体技术研究的前沿和产业竞争的焦点。在新能源汽车等应用市场快速发展的推动下，国内外厂商正在积极布局碳化硅业务，发展前景究竟如何？
安森美宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
英飞凌发布了2024财年财务报告，尽管面临全球半导体市场疲软，公司依然在汽车电子、AI服务器和碳化硅领域取得亮眼成绩；中国市场的营收再次获得显著增长。
Littelfuse公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
英飞凌科技股份公司宣布推出HybridPACK™ Drive G2 Fusion，为电动汽车领域的牵引逆变器确立了新的电源模块标准。
在电动汽车市场的激烈竞争中，碳化硅(SiC)器件正成为关键制胜因素。究竟谁能抢占SiC高地，成为这场角逐的最终赢家？
CISSOID日前宣布：公司已与南京航空航天大学自动化学院电气工程系达成深度战略合作协议，共同研发针对碳化硅（SiC）功率电子应用的全方位优化、匹配先进电机的电控系统。
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有宽禁带的特性，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
