近期，意法半导体、英飞凌、Vishay、Nexperia等全球半导体大厂发布了诸多新品，包括降压DC-DC转换器、碳化硅肖特基二极管等产品，应用领域涵盖电动汽车充电、工业电机驱动、光伏系统等等。

01 | Nexperia：推出具有超低静态电流的新款降压DC-DC转换器

Nexperia宣布推出全新系列降压DC-DC转换器。这些器件具有出色的待机和工作效率，为工程师在消费电子、工业和汽车终端市场中设计各种固定和便携电池供电应用提供更高的灵活性。

图源：Nexperia官网

NEX30606是一款高效、高精度的降压转换器，可在1.8 V至5.0 V的输入电压范围内提供16种电阻可调的输出电压选择。它提供高达600 mA的输出电流和220 nA的超低工作静态电流(Iq)，在业内脱颖而出。这一特性使其非常适合助听器、医疗传感器、贴片和监护设备等可穿戴消费电子应用。同时，它也能满足智能电表、资产追踪、工业物联网(IIOT)和窄带物联网(NBIOT)等电池供电工业应用的需求。

NEX40400降压转换器效率高(在中低负载条件下效率比同类产品高8%)，工作静态电流低(典型值60 μA)，可在4.5 V至40 V的宽输入范围内为应用提供高达600 mA的输出电流。

NEX30606和NEX40400均提供传统的IC保护功能，例如过流保护(OCP)、短路保护和热关断，确保在严苛环境中保持高可靠性。

NEX30606采用节省空间的WLCSP封装，尺寸仅有1.09mm x 0.74mm，间距为0.35mm，几乎只有同类转换器一半的大小。NEX40400采用经济高效的6引脚SOT8061-1 (TSOT23-6)表面贴装塑料封装，尺寸为2.9mm x 2.8mm。

02 | Vishay：发布16款650V和1200V碳化硅肖特基二极管

日前，Vishay宣布推出16款采用行业标准 SOT-227 封装的新型650 V和1200 V碳化硅 (SiC)肖特基二极管，旨在为高频应用提供高速和高效率，在电容电荷(Q_C)和正向压降之间为同类二极管提供最佳平衡。

图源：Vishay官网

这些二极管基于最先进的薄晶圆技术，可低至1.36V的低正向压降，大大降低了导通损耗，从而提高了效率。这些器件提供了比硅基二极管更好的反向恢复参数，并且几乎没有恢复尾部，进一步提高了效率。

肖特基二极管应用包括光伏系统、充电站、工业UPS 和电信电源的FBPS和LLC转换器中的AC/DC PFC和DC/DC超高频输出整流。在这些应用中，二极管的低Q_C低至56nC，可实现高速开关，而其行业标准封装则为竞争解决方案提供了直接替代品。

图源：Vishay官网

03 | 意法半导体：推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET

意法半导体推出了标准阈值电压(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。

图源：“意法半导体中国”公众号

工业级晶体管STL300N4F8和车规晶体管STL305N4F8AG的额定漏极电流高于300A，最大导通电阻R_DS(on)为1mΩ，可在高功率应用中实现出色的能效。动态性能得到了改进，65nC(典型值)的总栅极电荷和低电容(C_iss、C_rss)确保在高开关频率下电能损耗降至最低。

有了新系列器件，设计人员可以利用意法半导体最新的STripFET F8技术为无线电动工具、工业生产工具等设备设计电源、电源转换器、电机驱动装置。MOSFET的能效可延长电池续航时间，降低耗散功率，准许应用系统在采用简单的热管理设计情况下持续输出高功率，从而节省电路板空间，降低物料成本。

车规器件的目标应用是整车电机驱动装置和DC/DC转换器，包括车身电子设备、底盘和动力总成。具体应用场景包括车窗升降器、座椅定位器、天窗开启器、风扇和鼓风机、电动助力转向、主动悬架和减排控制系统。

此外，该技术可以缩减裸片尺寸，降低导通电阻R_DS(on)，提高价格竞争力，采用尺寸紧凑的封装。这两款器件都采用节省空间的PowerFLAT 5x6封装，同时还提供汽车工业要求的可润湿侧翼封装。

04 | 英飞凌：第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件

英飞凌近日发布新品动向，采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列，以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。

第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功率变换。

图源：“英飞凌工业半导体”公众号

产品特点：

R_DS(on)=12-78mΩ，V_GS=18V，T_vj=25°C

开关损耗极低

更大的最大V_GS范围，-10V至+25V

过载运行温度最高可达T_vj=200°C

最大短路耐受时间2µs

基准栅极阈值电压4.2V

竞争优势：

性能增强：开关损耗更低，效率更高

.XT互连技术：热阻更低，MOSFET温度更低

市场上同类最佳的最低R_DS(on)

数据手册上保证的短路最大承受时间

独特的坚固性

应用领域：

电动汽车充电

工业电机驱动和控制

不间断电源(UPS)

三相组串逆变器