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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月1 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出12款电流等级从6A至20A的新型45V、60V和100V器件，扩大其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用，具有极低的正向压降，采用表面贴装TO-252(DPAK)封装。
恩智浦半导体NXP SEMICONDUCTORS N.V.(NASDAQ：NXPI)近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。这款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品，在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV，可以显著提升电池寿命和性能。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月6 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95mm的表面贴装SlimSMA™ DO-221AC封装，正向电流为3
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月19 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器和VJ 系列无磁性 MLCC分别荣获EDN China 2012创新奖年度最佳产品奖和年度优秀产品奖，颁奖典礼11月15日在上海举行。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月11 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出9款采用功率TO-220AB、TO-263AB和TO-3PW封装的170V器件，丰富和扩大了TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器系列。这些器件定位于通信电源应用，电流等级从10A至80A，在30A下的典型正向压
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日推出采用1.0 x 0.6 x 0.37-mm超小扁平SMD塑料封装DFN1006D-2 (SOD882D)、能效比最高的肖特基整流器。这款20-V、0.5-A PMEG2005BELD肖特基势垒整流器是目前市场上尺寸最小的产品，在0.5-A正向电流下的最大正向电压为390 mV，可以显著提升电池寿命和性能。
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。
日前，安森美半导体推出新系列的100伏(V)沟槽型低正向压降肖特基整流器(LVFR)，用于笔记本适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流(DC-DC)转换器等应用。
安森美半导体功率分立分部高级总监兼总经理John Trice说：“我们的客户力求其产品设计更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本无法高性价比地提供沟槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在扩展温度范围内提供优异正向压降及反向漏电流性能，超出我们客户提升电源能效的严格规格。”
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出4款提供eSMP®表面贴装和轴向引线封装选项的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。
