Diodes MOSFET控制器使电源供应器超越
2012-03-09 16:19:32
来源：大比特半导体器件网
摘要： Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。
关键字： 控制器，电源电压
“能源之星”效率目标
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET＄控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想＄驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。
该控制器具备少于1mA的静态电流，并能以低至4.5V的＄电源电压运作，远胜于其他竞争对手的解决方案。此外，该控制器还能提供超越“能源之星”待机评级标准的反激式电源。
ZXGD3105N8以SO8封装供应，可用于工业及消费性产品中的交流-直流与直流-直流内部及外部的电源供应器。同时，该控制器还能在高达500kHz的开关频率下运作，有助减小变压器的体积，从而实现更纤细的外形设计。
该MOSFET控制器作为比例式闸极驱动器运作，可防止不必要的MOSFET关闭＄，并使MOSFET关闭传播延迟降低至15ns，从而减少反向电流，有助最大幅度地提升电源电路效率。
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