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石头科技（Roborock）推出的最新智能扫拖一体机器人——V20黑武士，内部搭载英飞凌全新光学模块。
英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。
德国Sparkasse Verlag的银行卡、瑞士的Maestro借记卡和法国的Carte Bancaire卡都将配备英飞凌的全新凌捷掩膜安全控制器。随着产量的提高，这些安全控制器还将被用于其他欧洲国家、美洲以及非洲和亚洲(日本、中国、韩国、印度尼西亚)的项目中。
2012年4月10日，德国纽必堡讯—英飞凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)近日推出一个新的接收前端模块产品系列。这些模块用于在智能手机及其他手持设备上实现全球导航卫星系统(GNSS)功能。全新推出的BGM104xN7具备业界最佳噪声系数——噪声系数是衡量GNSS接收机性能的一个关键参数。
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS™ P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电源管理应用领域的领导地位。
7月22日，国际知名功率器件厂商英飞凌半导体公司将参加“第三届家电IC创新技术与节能管理研讨会”，该公司高级工程师周伟将发表《用于电机驱动的创新IGBT: RC Drives IGBT》演讲，重点介绍英飞凌全新的RC-Drives技术，该技术适用于节能家电电机驱动，可使采用多个电机的家电(如洗衣机、冰箱、空调和洗碗机等)节能30%。
英飞凌RC-D功率开关器件系列在单一芯片上融合了市场领先的英飞凌专有技术TrenchSTOP IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和续流二极管，具有很低的开关损耗和传导损耗，并且减小了永磁电机驱动电路的展板面积。新的RC-D快速IGBT具备更高开关频率，可实现更高能效，并且仅略微增加了逆变器的损耗。这有助于各种类型的应用实现节能、降低对散热管理的要求和降低电磁干扰(EMI)，包括家用空调风扇、洗碗机电机
87/8287 据悉，我国已成为全球最大的大功率半导体器件消费市场，IGBT作为核心器件在新能源交通中得到了极为广泛的应用。英飞凌全新子公司北京集成电路公司已落户北京经济技术开发区，将为中国电动汽车、高铁列车和风力发电机等提供智能芯片
在纽必堡举行的2010年嵌入式技术展会上，英飞凌科技股份公司宣布推出可扩展的全套高温8位微控制器（MCU）系列。该系列可在高达150 °C的环境中运行，能够满足汽车和工业电子产品行业最严格的标准。全新推出的XC800 150°C系列可以不受限制地应用于温度从-40 °C 至 150 °C的环境。这为昂贵复杂的散热和制冷系统提供了一个高效的替代产品，同时为在恶劣的工作环境中应用微控制器提供了可行的替
为满足日益增长的双卡手机市场需求，英飞凌科技股份公司近日推出支持双卡手机操作的全新 XMM™2138平台。双卡手机可在一部手机中同时使用两个SIM（用户身份模块）卡，具备呼叫保持和呼叫切换等功能。通过按键，手机即可在两个SIM卡之间实现实时切换。如今，双卡手机在金砖四国（巴西、俄罗斯、印度和中国）的增速很快，尤以亚太国家为最。
