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IR总裁兼首席执行官Oleg Khaykin表示：“IRSG将以先进工艺为IR及其晶圆代工合作伙伴生产的晶圆进行加工，从而使IR的生产安排更具灵活性并改善其生产周期。此外，IR将通过IRSG，为旗下邻近的主要组装基地完成$晶圆加工的最后工序。
2013年2月25日，德国纽必堡讯 — 英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)已在生产基于300毫米薄晶圆的功率半导体方面取得了重大突破。今年2月，从奥地利费拉赫工厂的300毫米生产线走下来的英飞凌CoolMOS™家族产品，得到了第一批客户的首肯。从始至终，基于这项新技术的生产工艺业已完成彻底的质量检验，并获得了客户认可。
英飞凌科技发表新一代薄晶圆技术IGBT TRENCHSTOP 5 系列产品，其导通损失和切换损失均远低于目前的领导解决方案。透过这项突破性的产品，英飞凌为 IGBT 效能立下新标竿，继续在效率需求不断提升的市场中保持领先地位。
先进的SiC工艺和超薄晶圆是英飞凌提升功率器件效率的两条途径，至于大家谈论较多的GaN工艺，Mittal表示，英飞凌会保持研发与跟踪，也提供小批量生产，但是基于目前的成本太高，还不适合于大规模量产。英飞凌会持续对以上两个工艺进行投资，推动功率器件的创新。
IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF利用IR的薄晶圆场站的Trench技术，显着地降低了开关损耗和传导损耗，提供更高的功率密度和更高的效率，更高的频率。共同封装二极管和DPAK和D2PAK封装，新的IGBT额定电流为6A和最小的短路额定值≥5μs的特征。
