英飞凌将持续投资SiC工艺和超薄晶圆
2012-10-29 16:28:49
来源：大比特半导体器件网
摘要： 先进的SiC工艺和超薄晶圆是英飞凌提升功率器件效率的两条途径，至于大家谈论较多的GaN工艺，Mittal表示，英飞凌会保持研发与跟踪，也提供小批量生产，但是基于目前的成本太高，还不适合于大规模量产。英飞凌会持续对以上两个工艺进行投资，推动功率器件的创新。
除了在SiC工艺上的领先外，英飞凌在超薄晶圆片工艺上也不断开拓，处于领先地位。作为IGBT的领军者，英飞凌一直进行持续不断地投资与创新，其中包括投资12英寸模拟晶圆厂和超薄晶圆。“我们每年有超过9亿欧元的投入，主要是研发与生产。”
Mittal表示。IGBT由于双面都是有源的，因此厚度决定了开关损耗，英飞凌的超薄晶圆技术不断提升，目前已开发出70μm厚度的晶圆(300mm)，将开关损耗降至最低，而根据英飞凌的Roadmap，未来晶圆将进一步缩减至40μm。“相对应的，对手的IGBT还在采用120μm的晶园。”他说。
先进的SiC工艺和超薄晶圆是英飞凌提升功率器件效率的两条途径，至于大家谈论较多的GaN工艺，Mittal表示，英飞凌会保持研发与跟踪，也提供小批量生产，但是基于目前的成本太高，还不适合于大规模量产。英飞凌会持续对以上两个工艺进行投资，推动功率器件的创新。
这里有还一个重要信息要公示一下，也就是从今年十月一日开始，现任CEO Peter Bauer将由于身体健康方面的原因退休，新的CEO为在英飞凌服务多年的Reinhard Ploss博士，并会继续将高能效、交通与安全作为英飞凌发展的三大重点领域。
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